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SiO2掺杂对ZnO–Pr6O11基压敏电阻性能的影响
作者：刘建科1 宋帆1 张瑞婷2 徐亚宁2 田书凯1 
单位：1. 陕西科技大学文理学院 西安 710021 2. 陕西科技大学材料科学与工程学院 西安 710021 
关键词：二氧化硅掺杂 氧化锌压敏电阻 微观结构 电学性能 
分类号：TQ174
出版年,卷(期):页码：2018,46(12):0-0
DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2018.12.08
摘要：

 研究了SiO2掺杂对ZnO–Pr6O11基压敏电阻的微观结构、电性能的影响。结果表明：随着SiO2掺杂量的增加，压敏电压从137 V/mm增加到434 V/mm，后又减小到101 V/mm；当SiO2掺杂量为1.5% (摩尔分数)时，非线性系数(α)达到最大(31)；当SiO2掺杂量为3.0%时，压敏电压达到最大，漏电流降到最小(1.1 μA/cm2)。当SiO2掺杂量为1.5%时，损耗角正切值达到最小值；当SiO2掺杂量为4.5%时，相对介电常数达到最大值。实验证实通过SiO2掺杂得到了非线性系数高和低损耗的压敏电阻。

 The microstructure and electrical properties of SiO2-dopedZnO–Pr6O11 ceramics were investigated. The breakdown voltage firstly increases from137 to 434 V/mm，and then decreases to 101 V/mm as SiO2 amount increases. The varist or ceramics doped with SiO2 amount of 1.5% (in mole fraction)show the optimum nonlinear coefficient of 31. The ceramics doped with SiO2 amount of 3.0%, exhibit the optimum breakdown voltage, and the least leakage current of 0.74 μA/cm2. For the ceramics doped with SiO2 amount of 1.5%，the loss tangent reaches a minimum value. For the ceramics doped with 4.5% SiO2, the relative permittivity reaches a maximum value. The results indicate that Zn Ovaristor with a nonlinear coefficient of high and low losses could be obtained by doping with SiO2.
基金项目：
国家自然科学基金(51272145，50972087)资助。 第
作者简介：
参考文献：

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