升温速率对ZnO压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响

作者：曹文斌 苏锦锋 刘建科 陈姣姣 乔毅楠

单位：陕西科技大学半导体材料与器件研究中心

关键词：氧化锌  压敏陶瓷  升温速率  稳定性

分类号：

出版年,卷(期):页码：2021,49(12):2615-2620

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.20210247

摘要：

研究了升温速率对ZnO–Bi2O3–Sb2O3–Co2O3–MnO2–Cr2O3–SiO2压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响。当升温速率从3℃/min降低到1.5℃/min时,ZnO晶粒快速长大导致样品结构均匀性变差。当升温速率从3℃/min升高到10℃/min时,缺陷扩散变弱导致双Schottky势垒形成受阻。升温速率为3℃/min时,样品的非线性系数为最大值43.4,漏电流为最小值1.0μA/cm2,击穿场强为448 V/mm,三者的标准偏差达到最小,样品稳定性最好,200 Hz～2 MHz电场作用下损耗角正切tanδ小于0.03,综合电学性能最优。同时,晶界处带负电的富Bi相Bi3.73Sb0.27O6.0+x的存在对ZnO压敏陶瓷的电学性能有重要影响。

基金项目：

国家自然科学基金(51802183)资助；

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