Ta、Mn共掺铌酸钾钠基压电单晶的无籽晶固相生长、结构和电学性能

作者：张钊伟 江民红 李林 路欢 王维 程帅 饶光辉

单位：桂林电子科技大学材料科学与工程学院广西信息材料重点实验室

关键词：无籽晶固相法  铌酸钾钠  压电单晶  钽掺杂  锰掺杂

分类号：

出版年,卷(期):页码：2022,50(9):-

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.20211155

摘要：

采用无籽晶固相法制备Ta2O5、Mn O2掺杂的99.7K0.5Na0.5[Nb(1–x)Tax]O3–0.3BaBiO3无铅压电单晶，研究了Ta、Mn单掺杂和共掺杂对晶体生长、结构和性能的影响。结果表明：适量Ta和Mn共掺杂有利于晶体生长，当加入0.9%(摩尔分数)Ta和0.1%Mn时，单晶表面更为规则和致密，所获晶体最大尺寸可达30.0 mm×9.2 mm×2.6 mm。当固定0.1%Mn掺杂并改变Ta的掺杂量时，Ta掺杂量较高的单晶具有相对高的压电性能；当Ta和Mn分别掺杂为0.9%和0.1%时，所得单晶具有较高的剩余极化强度Pr和压电常数d33，分别为26.96μC/cm2和227 pC/N。

基金项目：

国家自然科学基金(52172001)； 广西自然科学基金重点项目(2022GXNSFDA035082,AD19245084)； 广西信息材料重点实验室重点项目(桂林电子科技大学,211006-Z)； 广西八桂学者基金；

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参考文献：

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