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摘要:
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以膨胀石墨和硅粉为原料、Co(NO3)3·6H2O 为催化剂前驱体,在流动 Ar 气中合成了 3C-SiC 纳米线。研究了反应温度、催化剂用量对合成 3C-SiC 粉体反应的影响。用第一性原理计算分析了 Co 纳米颗粒的催化机理,研究了 3C-SiC 纳米线的光致发光性能。结果表明:催化剂 Co 的引入降低了硅粉碳化反应生成 Si C 的开始反应温度和完全反应温度。催化剂 Co的加入量为 3% (质量分数)时,1 573 K 保温 3 h 反应后合成的 3C-SiC 纳米线的直径为 50~60 nm,长度约几十微米,其生长机理主要为气–固反应。Co 纳米颗粒与反应物之间的吸附作用降低了 C=C 键、C—O 键和 Si—O 键的结合,从而促进了 Si C的成核与生长。激发波长为 254 nm 时,3C-SiC 纳米线的室温光致发光谱的特征峰在 307 nm,该纳米线在光电子纳米材料领域有良好的应用前景。
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基金项目:
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国家自然科学基金(11404098);
山西省基础研究计划自由探索类面上项目(20210302123427);
山西省留学回国人员科技活动择优资助项目(20220038);
山西省回国留学人员科研资助(2020-151);
省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室开放基金(G202006,G202008);
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作者简介:
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参考文献:
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服务与反馈:
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